Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.620,00

(excl. BTW)

€ 1.960,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,648€ 1.620,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-2501
Fabrikantnummer:
IPD100N06S403ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 100V maximum drain source voltage, N-Channel, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252)package.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra Low RDSon

Ultra High ID

Gerelateerde Links