Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S4L12ATMA2

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 13,24

(excl. BTW)

€ 16,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.960 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,662€ 13,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3045
Fabrikantnummer:
IPD50N06S4L12ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has DPAK (TO-252) package type.

N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Gerelateerde Links