Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD25N06S4L30ATMA2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 9,88

(excl. BTW)

€ 11,96

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 7.260 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,494€ 9,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-2504
Fabrikantnummer:
IPD25N06S4L30ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

300mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package type.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links