Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N06S403ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,89

(excl. BTW)

€ 11,97

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.340 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,989€ 9,89
50 - 90€ 0,94€ 9,40
100 - 240€ 0,90€ 9,00
250 - 490€ 0,86€ 8,60
500 +€ 0,801€ 8,01

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-2502
Fabrikantnummer:
IPD100N06S403ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 100V maximum drain source voltage, N-Channel, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252)package.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra Low RDSon

Ultra High ID

Gerelateerde Links