Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S407AKSA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 18,13

(excl. BTW)

€ 21,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,813€ 18,13
50 - 90€ 1,724€ 17,24
100 - 240€ 1,552€ 15,52
250 - 490€ 1,395€ 13,95
500 +€ 1,328€ 13,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-2548
Fabrikantnummer:
IPP80N06S407AKSA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS® -T2 Power-Transistor series has 60V maximum drain source voltage with TO-220 package type. It is N-Channel with 7.1 mΩ max maximum drain source resistance.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links