Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD35N10S3L26ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 13,845

(excl. BTW)

€ 16,755

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 11.505 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 0,923€ 13,85
75 - 135€ 0,877€ 13,16
150 - 360€ 0,841€ 12,62
375 - 735€ 0,803€ 12,05
750 +€ 0,749€ 11,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3043
Fabrikantnummer:
IPD35N10S3L26ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T series N-channel automotive MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. It has low switching and conduction power losses.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Gerelateerde Links