Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R080G7XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,85

(excl. BTW)

€ 15,548

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.982 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 6,425€ 12,85
10 - 18€ 5,525€ 11,05
20 - 48€ 5,135€ 10,27
50 - 98€ 4,82€ 9,64
100 +€ 4,435€ 8,87

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4940
Fabrikantnummer:
IPT60R080G7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HSOF

Series

IPT60R

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.1mm

Width

10.58 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Gerelateerde Links