Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.570,00

(excl. BTW)

€ 3.110,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 5.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,514€ 2.570,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4680
Fabrikantnummer:
IPG20N10S4L22ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TDSON

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.15mm

Width

5.9 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Gerelateerde Links