Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S409ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 13,02

(excl. BTW)

€ 15,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 19.905 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 0,868€ 13,02
75 - 135€ 0,825€ 12,38
150 - 360€ 0,79€ 11,85
375 - 735€ 0,755€ 11,33
750 +€ 0,703€ 10,55

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
223-8518
Fabrikantnummer:
IPD50N06S409ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.95V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in DPAK package has drain to source voltage of 60 V. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.

Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package

•Ultra low Rds

•100% Avalanche tested

Gerelateerde Links