Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-263 SIHB053N60E-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,73

(excl. BTW)

€ 15,404

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 746 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,365€ 12,73
20 - 48€ 5,73€ 11,46
50 - 98€ 5,41€ 10,82
100 - 198€ 5,09€ 10,18
200 +€ 4,71€ 9,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
225-9910
Fabrikantnummer:
SIHB053N60E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

47A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

54mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

92nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Height

15.88mm

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links