Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 9,70

(excl. BTW)

€ 11,725

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.525 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,388€ 9,70
250 - 600€ 0,368€ 9,20
625 - 1225€ 0,272€ 6,80
1250 - 2475€ 0,252€ 6,30
2500 +€ 0,233€ 5,83

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2814
Fabrikantnummer:
Si2387DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links