Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 16,675

(excl. BTW)

€ 20,175

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 5.925 stuk(s) vanaf 26 maart 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,667€ 16,68
250 - 600€ 0,633€ 15,83
625 - 1225€ 0,468€ 11,70
1250 - 2475€ 0,432€ 10,80
2500 +€ 0,401€ 10,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2814
Fabrikantnummer:
Si2387DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links