Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,18

(excl. BTW)

€ 11,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,918€ 9,18
100 - 240€ 0,874€ 8,74
250 - 490€ 0,691€ 6,91
500 - 990€ 0,643€ 6,43
1000 +€ 0,551€ 5,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2825
Fabrikantnummer:
SI7116BDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

Very low Qg and Qoss reduce power loss and

improve efficiency

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

Gerelateerde Links