Vishay E Type N-Channel MOSFET, 16.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AEF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,22

(excl. BTW)

€ 9,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,11€ 8,22
20 - 98€ 3,49€ 6,98
100 - 198€ 3,05€ 6,10
200 - 498€ 2,50€ 5,00
500 +€ 2,015€ 4,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2868
Fabrikantnummer:
SIHG21N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-247

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links