Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 71,65

(excl. BTW)

€ 86,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 475 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 - 25€ 2,866€ 71,65
50 - 100€ 2,694€ 67,35
125 +€ 2,436€ 60,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2869
Fabrikantnummer:
SIHG24N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links