Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 20,175

(excl. BTW)

€ 24,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,807€ 20,18
50 - 100€ 0,645€ 16,13
125 - 225€ 0,564€ 14,10
250 - 600€ 0,505€ 12,63
625 +€ 0,492€ 12,30

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6867
Fabrikantnummer:
SIHD6N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHD6N80AE-GE3 is a E series power MOSFET.

Low figure-of-merit

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links