Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.869,00

(excl. BTW)

€ 2.262,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,623€ 1.869,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2915
Fabrikantnummer:
SIRA20BDP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

335A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

124nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links