Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,72

(excl. BTW)

€ 11,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.980 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,944€ 9,72
50 - 120€ 1,752€ 8,76
125 - 245€ 1,364€ 6,82
250 - 495€ 1,208€ 6,04
500 +€ 1,108€ 5,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2916
Fabrikantnummer:
SIRA20BDP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

335A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

124nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links