Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4056ADY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,18

(excl. BTW)

€ 8,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 4.820 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,718€ 7,18
100 - 240€ 0,646€ 6,46
250 - 490€ 0,53€ 5,30
500 - 990€ 0,467€ 4,67
1000 +€ 0,36€ 3,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2819
Fabrikantnummer:
Si4056ADY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Logic level gate drive

Gerelateerde Links