Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,69

(excl. BTW)

€ 11,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.920 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,969€ 9,69
100 - 240€ 0,911€ 9,11
250 - 490€ 0,823€ 8,23
500 - 990€ 0,775€ 7,75
1000 +€ 0,727€ 7,27

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2925
Fabrikantnummer:
SiS590DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212-8 Dual

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.251Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

23.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links