Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-6920
Fabrikantnummer:
SIS415DNT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

TrenchFET Gen III

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

0.8mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links