Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,26

(excl. BTW)

€ 9,99

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,826€ 8,26
100 - 240€ 0,682€ 6,82
250 - 490€ 0,665€ 6,65
500 - 990€ 0,647€ 6,47
1000 +€ 0,63€ 6,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9409
Fabrikantnummer:
SISA10DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.4 mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links