Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,99

(excl. BTW)

€ 10,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,899€ 8,99
100 - 240€ 0,742€ 7,42
250 - 490€ 0,724€ 7,24
500 - 990€ 0,703€ 7,03
1000 +€ 0,686€ 6,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9409
Fabrikantnummer:
SISA10DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links