Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA04DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 zak van 2 eenheden)*

€ 3,22

(excl. BTW)

€ 3,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per Zak*
2 - 18€ 1,61€ 3,22
20 - 98€ 1,51€ 3,02
100 - 198€ 1,36€ 2,72
200 - 498€ 1,28€ 2,56
500 +€ 1,205€ 2,41

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
768-9307
Fabrikantnummer:
SISA04DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.73V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.15 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links