STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH12N120K5-2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,49

(excl. BTW)

€ 12,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.903 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 10,49
10 - 99€ 9,97
100 - 249€ 9,46
250 - 499€ 8,99
500 +€ 8,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-3041
Fabrikantnummer:
STH12N120K5-2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK

Series

STB37N60

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

690mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.4mm

Height

4.8mm

Standards/Approvals

No

Width

15.8 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best FOM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

Gerelateerde Links