STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 10.483,00

(excl. BTW)

€ 12.684,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 10,483€ 10.483,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
201-4415
Fabrikantnummer:
SCT20N120H
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-2

Series

SiC MOSFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

203mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.8mm

Height

10.4mm

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Gerelateerde Links