Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 237 A, 120 V, 8-Pin HSOF-8 IPT030N12N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 3.994,00

(excl. BTW)

€ 4.832,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 1,997€ 3.994,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
236-3669
Fabrikantnummer:
IPT030N12N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

237A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Package Type

HSOF-8

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET is the Ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance. It is used in light electric vehicle, low voltage drives and battery powered tools.

High power density and improved thermal management

Less board space needed

High system efficiency and less paralleling required

Gerelateerde Links