Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 237 A, 120 V, 8-Pin HSOF-8 IPT030N12N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,51

(excl. BTW)

€ 12,718

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.872 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,255€ 10,51
20 - 48€ 4,735€ 9,47
50 - 98€ 4,415€ 8,83
100 - 198€ 4,10€ 8,20
200 +€ 3,835€ 7,67

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
236-3670
Fabrikantnummer:
IPT030N12N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

237A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS™

Package Type

HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Standards/Approvals

No

Width

10.58 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET is the Ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance. It is used in light electric vehicle, low voltage drives and battery powered tools.

High power density and improved thermal management

Less board space needed

High system efficiency and less paralleling required

Gerelateerde Links