Vishay SiR N-Channel MOSFET, 171 A, 171 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRS700DP-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
239-5395
Fabrikantnummer:
SiRS700DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Series

SiR

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

171 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

171 V

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK SO-8

Automotive Standard

No

Length

6 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.0035 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

132 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

RoHS

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

86 nC

Width

5 mm

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 171 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.