Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,41

(excl. BTW)

€ 15,016

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.050 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,205€ 12,41
20 - 48€ 5,83€ 11,66
50 - 98€ 5,275€ 10,55
100 - 198€ 4,97€ 9,94
200 +€ 4,655€ 9,31

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8638
Fabrikantnummer:
SIHK125N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.11Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay E series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.

4th generation E series technology

Low effective capacitance

Low switching and conduction losses

Gerelateerde Links