Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PQFN

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.768,00

(excl. BTW)

€ 2.140,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,442€ 1.768,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-5527
Fabrikantnummer:
IRFH5301TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.85mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

6mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Industry standard surface-mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Gerelateerde Links