Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V TDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 3.325,00

(excl. BTW)

€ 4.025,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,665€ 3.325,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3878
Fabrikantnummer:
IPG20N06S4L11ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPG20N06S4L-11

Package Type

TDSON

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS T2 power-transistor is dual Super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Exposed pad provides excellent thermal transfer, two N-Channel MOSFETs in one package with 2 isolated lead frames.

Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links