Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V TDSON

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,97

(excl. BTW)

€ 3,594

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.976 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 1,485€ 2,97
10 - 98€ 1,33€ 2,66
100 - 248€ 1,28€ 2,56
250 - 498€ 1,09€ 2,18
500 +€ 1,005€ 2,01

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3879
Fabrikantnummer:
IPG20N06S4L11ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TDSON

Series

IPG20N06S4L-11

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS T2 power-transistor is dual Super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Exposed pad provides excellent thermal transfer, two N-Channel MOSFETs in one package with 2 isolated lead frames.

Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links