Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,22

(excl. BTW)

€ 3,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.996 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,61€ 3,22
20 - 48€ 1,45€ 2,90
50 - 98€ 1,355€ 2,71
100 - 198€ 1,26€ 2,52
200 +€ 1,18€ 2,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3881
Fabrikantnummer:
IPG20N06S4L11ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is dual super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links