Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 483 A, 100 V Enhancement TO-247 IRF100P218AKMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 9,05

(excl. BTW)

€ 10,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 400 stuk(s) vanaf 03 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 9,05
10 - 24€ 8,60
25 - 49€ 8,41
50 - 99€ 7,86
100 +€ 7,32

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3951
Fabrikantnummer:
IRF100P218AKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

483A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

UPS and Inverter applications

Half-bridge and full-bridge topologies

Resonant mode power supplies

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.