Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,72

(excl. BTW)

€ 4,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 3.998 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,86€ 3,72
20 - 48€ 1,675€ 3,35
50 - 98€ 1,56€ 3,12
100 - 198€ 1,47€ 2,94
200 +€ 1,36€ 2,72

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3972
Fabrikantnummer:
IRFH8303TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

280A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

5 mm

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Increased power density


Gerelateerde Links