Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB029N06NF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,00

(excl. BTW)

€ 7,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Tijdelijk niet op voorraad
  • 550 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,20€ 6,00
50 - 120€ 1,092€ 5,46
125 - 245€ 1,022€ 5,11
250 - 495€ 0,948€ 4,74
500 +€ 0,876€ 4,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-5859
Fabrikantnummer:
IPB029N06NF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links