Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7451TRPBF

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.708,00

(excl. BTW)

€ 2.068,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 10 mei 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,427€ 1.708,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6732
Fabrikantnummer:
IRF7451TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.