Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.036,00

(excl. BTW)

€ 1.252,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,259€ 1.036,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6735
Fabrikantnummer:
IRF7465TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Gerelateerde Links