Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7451TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,47

(excl. BTW)

€ 9,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.750 stuk(s) vanaf 31 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,747€ 7,47
100 - 240€ 0,71€ 7,10
250 - 490€ 0,68€ 6,80
500 - 990€ 0,649€ 6,49
1000 +€ 0,41€ 4,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6734
Fabrikantnummer:
IRF7451TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4 mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Gerelateerde Links