Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7465TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 17,20

(excl. BTW)

€ 20,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 7.975 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,688€ 17,20
125 - 225€ 0,654€ 16,35
250 - 600€ 0,626€ 15,65
625 - 1225€ 0,599€ 14,98
1250 +€ 0,379€ 9,48

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6736
Fabrikantnummer:
IRF7465TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-668

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Gerelateerde Links