ROHM R6013VND3 NaN Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6013VND3TL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,82

(excl. BTW)

€ 11,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.455 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,964€ 9,82
50 - 95€ 1,764€ 8,82
100 - 245€ 1,416€ 7,08
250 - 995€ 1,39€ 6,95
1000 +€ 1,154€ 5,77

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
265-5415
Fabrikantnummer:
R6013VND3TL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

R6013VND3 NaN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.3Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

131W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS NaN

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

Gerelateerde Links