Vishay SIJH N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
268-8324
Fabrikantnummer:
SIJH5700E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

SIJH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0041Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

7.9mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.