Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
268-8346
Fabrikantnummer:
SISS5708DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33.8 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Land van herkomst:
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links