Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 420,00

(excl. BTW)

€ 510,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,14€ 420,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9890
Fabrikantnummer:
SI1480BDH-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.212Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links