Fabrikantnummer

Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3

RS-stocknr.:: 279-9891
Fabrikantnummer:: SI1480BDH-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 10,675

(excl. BTW)

€ 12,925

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 25	€ 0,427	€ 10,68
50 - 75	€ 0,418	€ 10,45
100 - 225	€ 0,38	€ 9,50
250 - 975	€ 0,372	€ 9,30
1000 +	€ 0,365	€ 9,13

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 279-9891
Fabrikantnummer:: SI1480BDH-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-363
	Series	SI
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.212Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-363
	Series SI
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.212Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SI1480BDH-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.