Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,74

(excl. BTW)

€ 6,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 5,74
50 - 99€ 5,63
100 - 249€ 5,58
250 - 999€ 5,45
1000 +€ 5,34

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9916
Fabrikantnummer:
SIHH155N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHH

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Gerelateerde Links