Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH085N60EF-T1GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,33

(excl. BTW)

€ 12,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 10,33
50 - 99€ 9,30
100 - 249€ 7,61
250 +€ 7,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8301
Fabrikantnummer:
SIHH085N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

SIHH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correct

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links