Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60E-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,64

(excl. BTW)

€ 6,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 5,64
50 - 99€ 5,52
100 - 249€ 5,41
250 - 999€ 5,29
1000 +€ 5,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9920
Fabrikantnummer:
SIHK155N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Gerelateerde Links