Vishay SISH Type P-Channel MOSFET, 54 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH103DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 798,00

(excl. BTW)

€ 966,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,266€ 798,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9980
Fabrikantnummer:
SISH103DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SISH

Package Type

1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0089Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

41.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links