Vishay SISH Type P-Channel MOSFET, 34.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH107DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,91

(excl. BTW)

€ 8,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.990 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,691€ 6,91
50 - 90€ 0,514€ 5,14
100 - 240€ 0,457€ 4,57
250 - 990€ 0,446€ 4,46
1000 +€ 0,438€ 4,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9984
Fabrikantnummer:
SISH107DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

34.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

1212-8

Series

SISH

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.014Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Power Dissipation Pd

26.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links