Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 12,18

(excl. BTW)

€ 14,74

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.280 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,609€ 12,18
200 - 480€ 0,517€ 10,34
500 - 980€ 0,487€ 9,74
1000 - 1980€ 0,457€ 9,14
2000 +€ 0,426€ 8,52

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9020
Fabrikantnummer:
SI4532CDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.78W

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links